Method of manufacturing semiconductor device

반도체 소자의 제조방법

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 방법은, 실리콘기판의 소자분리영역 내에 하단 부가 둥근 형태인 벌브 형 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 벌브형 트렌치의 둥근 부분을 산화시키는 단계와, 상기 벌브형 트렌치의 전면 상에 절연막을 형성하는 단계 및 상기 절연막을 식각하여 상기 그 주변이 산화된 벌브형 트렌치의 하단부에 도달하는 소자분리용 트렌치를 형성함과 아울러 상기 소자분리용 트렌치들 사이의 활성영역 부분을 실리콘기판의 중간에 절연막이 개재된 SOI 구조로 형성하는 단계를 포함한다.

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    KR-100688547-B1March 02, 2007삼성전자주식회사Semiconductor device having shallow trench isolation structure and method of manufacturing the same
    KR-100772709-B1November 02, 2007주식회사 하이닉스반도체반도체 소자의 소자분리막 제조방법

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