Integrated process modulationipm a novel solution for gapfill with hdp-cvd

Hdp-cvd를 이용하는 갭필에 대한 신규한 해결법,집적 공정 모듈레이션(ipm)

Abstract

공정 챔버 내에 배치되는 기판 상에 실리콘 산화물 필름을 증착하기 위한 공정이 제공된다. 공정 가스는 할로겐 소오스, 유동성 가스, 실리콘 소오스를 포함하며, 산화 가스 반응물은 공정 챔버 내측으로 유동된다. 적어도 10 11 이온/㎤의 이온 밀도를 가지는 플라즈마가 공정 가스로부터 형성된다. 실리콘 산화물 필름은 1.0% 미만의 할로겐 농도를 이용하여 기판 위에 증착된다. 실리콘 산화물 필름은 동시 증착 및 스퍼터링 구성을 가지는 공정으로 플라즈마를 이용하여 증착된다. 할로겐 소오스 대 공정 챔버의 유동률 대 실리콘 소오스 대 공정 챔버의 유동률은 실질적으로 0.5 내지 3.0이다.

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-6030881-AFebruary 29, 2000Novellus Systems, Inc., International Business Machines CorporationHigh throughput chemical vapor deposition process capable of filling high aspect ratio structures
    US-6903031-B2June 07, 2005Applied Materials, Inc.In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen

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