A bipolar transistor fabricating method

바이폴라 트랜지스터 제조방법

Abstract

바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명은 실리콘 기판에 매몰영역을 형성하고, 컬렉터 싱커가 소자분리막에 의해서 제1전도층과 서로 분리되는 반도체 기판을 제공하는 단계 ; 상기 반도체 기판의 표면에 제1절연막, 제2,3전도층 및 제2절연막을 연속하여 도포하는 단계 ; 상기 제2절연막 및 제2,3전도층을 식각하여 제1절연막을 외부노출시키는 에미터 개구부를 형성하는 단계 ; 상기 에미터 개구부의 내부면에 측벽 절연막을 일정두께로 형성한 다음 상기 제1절연막을 선택적으로 식각하여 제1전도층 일부를 외부노출시키는 단계 ; 상기 에미터 개구부를 통해 외부노출되는 제1전도층의 표면에 베이스층을 형성하는 단계 ; 상기 에미터 개구부에 채워지면서 제2절연막에 도포되는 제4전도층과 제2절연막을 베이스-에미터 마스크로서 식각하여 베이스 전극과 에미터 전극을 형성하는 단계 ; 및 상기 제2,3전도층 및 제1절연막을 컬렉터 마스크로서 식각하여 컬렉터 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
The property of noise index and the maximum oscillation frequency can be improved by suppressing the electric current resistance generated between the base electrode and emitter electrode. A step is for forming the buried zone(202) on the silicon substrate(201) and for providing the semiconductor substrate in which the collector sinker(204) is separated from the first conductor layer(203) by the element isolation film(205). A step is for coating successively the first insulating layer(207), and the 2,3 conductive layers(208,209) and the second insulating layer(210) on the surface of the semiconductor substrate. A step is for forming the emitter aperture part to exposure the first insulating layer by etching the second insulating layer and 2,3 conductive layer. A step is for forming the side wall insulating film(212) having the constant thickness on the inner surface of the emitter aperture and for exposing the part of the first conductive layer by etching selectively the first insulating layer. A step is for forming the base layer(213) in the surface of the first conductor layer to expose outwardly through the emitter aperture part. A step is for forming the base electrode and emitter electrode by etching the base-emitter as the fourth conducting layer(214) and the second insulating layer. A step is for forming the collector electrode by etching the collector mask as the 2,3 conductive layer and the first insulating layer.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-H08335554-ADecember 17, 1996Oki Electric Ind Co Ltd, 沖電気工業株式会社Fabrication of semiconductor device
    JP-H1079394-AMarch 24, 1998Hitachi Ltd, 株式会社日立製作所バイポーラトランジスタおよびその製造方法

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