Film formation method, film formation apparatus and storage medium

성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체

Abstract

본 발명의 과제는 에칭 처리를 조합함으로써, 결정질의 반구 형상의 입자 사이즈를 작게 제어하는 것이 가능한 성막 방법을 제공하는 것이다. 피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 성막 가스에 의해 상기 피처리체의 표면에 결정 핵을 형성하고 상기 결정 핵을 성장시킴으로써 결정질의 반구 형상의 입자가 표면에 형성된 HSG 박막을 형성하는 HSG 박막 형성 공정과, 상기 HSG 박막의 표면을 산화함으로써 산화막을 형성하는 산화막 형성 공정과, 상기 산화막을 에칭에 의해 제거하는 에칭 공정을 갖는다. 이와 같이, 에칭 처리를 조합함으로써 HSG 실리콘 결정질의 입자에 있어서의 결정질의 반구 형상의 입자의 사이즈를 작게 제어한다. 성막 장치, HSG 박막, 산화막, 반도체 웨이퍼, 제어 수단

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    KR-100384841-B1May 22, 2003주식회사 하이닉스반도체A method for forming capacitor in semiconductor device using hemispherical silicon grain
    KR-20010074376-AAugust 04, 2001박종섭, 주식회사 하이닉스반도체커패시터 하부 전극 및 그 제조 방법

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