정전기 방전 장치

Electrostatic discharge device

Abstract

본 발명은 정전기로부터 반도체 장치를 보호하는 정전기 방전(Electrostatic Discharge, ESD) 장치에 관한 것으로서, 패드에서 정전기 발생시 상기 정전기를 제 1 방전 라인으로 방전시키는 제 1 정전기 방전부; 및 상기 제 1 정전기 방전부로부터 바이어스 전압과 구동 전압을 인가받아 상기 패드에서 발생한 정전기를 제 2 방전 라인으로 방전시키는 제 2 정전기 방전부;를 포함하는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 의하면, 트랜지스터의 기판에 바이어스를 인가하여 트리거 전압을 낮추어 정전기 방전 성능이 뛰어나 정전기 방전 장치를 제공할 수 있다.
An electrostatic discharge device is provided to reduce the layout size thereof by implementing an electrostatic discharge element with an electrostatic discharge function and a support function for driving another electrostatic discharge element. An electrostatic discharge device includes first and second electrostatic discharge units(20,30). The first electrostatic discharge unit discharges static electricity to a first discharge line when the static electricity is generated in a pad. The second electrostatic discharge unit receives bias and driving voltages from the first electrostatic discharge unit and discharges static electricity generated from the pad to a second discharge line.

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-20000023343-AApril 25, 2000니시무로 타이죠, 가부시끼가이샤 도시바Insulated-gate transistor signal inputting device
    KR-20010061481-AJuly 07, 2001박종섭, 주식회사 하이닉스반도체Electro static discharge structure for a semiconductor device

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